陈峰团队实现离子束直写的二维集成元器件
近日,公司陈峰教授团队在离子束材料改性与制备领域的研究中取得新进展,实现了离子束直接写入的二维集成二极管等元器件,相关工作以“Direct-Writing of 2D Diodes by Focused Ion Beams”为题发表在权威期刊Advanced Functional Materials(影响因子为16.836)上,并被选为期刊内封面(Inside Front Cover)。论文的第一作者为William官网2019级博士研究生刘燕然,通讯作者为谭杨、陈峰教授,williamhill中国官网为第一作者单位和唯一通讯作...