杨再兴教授课题组在低功耗光电子器件领域取得新进展
高功耗限制着新一代大面积、轻柔、多功能光电子器件的发展。近日,公司杨再兴教授课题组首次采用源栅晶体管(Source-gated transistor)成功构筑了超低功耗光电探测器,相关结果以“New Approach to Low-Power-Consumption, High-Performance Photodetectors Enabled by Nanowire Source-Gated Transistors”为题发表在《Nano Letters》(DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c04013)期刊上。 相比于常见的背栅场效应...